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发明名称 Volatile memory cell transistor having gate dielectric with charge traps and method for fabricating the same
摘要
申请公布号 KR100540478(B1) 申请公布日期 2006.01.11
申请号 KR20040019363 申请日期 2004.03.22
申请人 发明人
分类号 H01L27/10;H01L29/792;G11C11/401;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/108;H01L29/51;H01L29/76;H01L29/78 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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