两端存储信息的双位闪存单元及其读取方法

摘要

本发明提供了一种两端存储信息的双位闪存单元的读取方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的双位闪存读取方法相比，本发明通过衬底和位线的电压组合，在存储单元的沟道内形成足够宽的耗尽层，实现了能够有效读取双位闪存单元中任何一位信息的功能，而且因为读取时候的位线从传统的双位闪存单元的读取时候的1.5V降低到1V，大大地降低了共位线但未被选中的其他存储单元的泄漏电流，选中的存储单元的不同状态下的开关比也有5个数量级以上的提高。在相同工艺条件下，可以保证双位闪存单元的按比例缩小的能力，增加双位闪存技术的存储密度。

主权项

1、一种两端存储信息的双位闪存单元，包括：接负偏压的衬底、源区、漏区、氮化硅浮栅以及多晶硅控制栅，氮化硅浮栅位于源区、漏区上方，电子存储在氮化硅浮栅的两端，根据存储数据的状态，源区或漏区接有位线，位线接正偏压，控制栅接读取电压。