发明名称 | 以大气压力等离子体处理衬底表面的装置 | ||
摘要 | 一种表面处理装置,包含a)处理气体储存部分,包含:第一入口,经由该第一入口引入处理气体,及b)等离子体产生部分,包含:彼此面对的上电极及下电极;形成在电极之间的等离子体产生空间;使上电极及下电极绝缘的至少一个电介体;降低电极的表面温度的散热器;第二入口,经由该第二入口,处理气体自处理气体储存部分被引入等离子体产生空间;出口,经由该出口,等离子体及未被转换成等离子体的处理气体被排出到等离子体产生空间的外面;以及施加交流电压的交流电源;其中上电极及下电极二者都是平板电极,出口形成在下电极上,以及衬底位于下电极下面。该装置并不限制衬底形状,可以加宽衬底的有效处理面积及在大气压力下执行连续处理。 | ||
申请公布号 | CN1720349A | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
申请号 | CN200380104685.4 | 申请日期 | 2003.11.19 |
申请人 | 希姆科技有限公司 | 发明人 | 李学柱 |
分类号 | C23C16/50(2006.01) | 主分类号 | C23C16/50(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
主权项 | 1、一种表面处理装置,包含处理气体储存部分及位于处理气体储存部分下面的等离子体产生部分,其中a)处理气体储存部分包含:第一入口,经由该第一入口引入处理气体,及b)等离子体产生部分包含:彼此面对的上电极及下电极;形成在电极之间的等离子体产生空间;使上电极及下电极绝缘的至少一个电介体;降低电极的表面温度的散热器;第二入口,经由该第二入口,处理气体自处理气体储存部分被引入等离子体产生空间;出口,经由该出口,等离子体及未被转换成等离子体的处理气体被排出到等离子体产生空间的外面;以及施加交流电压的交流电源;其中上电极及下电极二者都是平板电极,出口形成在下电极上,以及衬底位于下电极下面。 | ||
地址 | 韩国首尔 |