发明名称 |
电解镀膜装置 |
摘要 |
本发明提供一种即使在如晶片那样的要求镀膜厚度具有极严格的均匀性的电解镀膜处理中,容易进行均匀厚度的镀膜处理的技术。在包括具有配置了与晶片的周边部接触的阴极的开口部的镀槽和配置在镀槽内部而使其与放置在该开口部的晶片对置的阳极,将镀膜液提供给镀槽内使晶片和镀膜液接触,同时向晶片提供电镀电流,对晶片表面进行镀膜处理的电解镀膜装置中,上述阳极是在钛制的电极基材上设置作为中间层的铂覆盖膜,和在该中间层表面上设置氧化铟覆盖膜而形成的。 |
申请公布号 |
CN1718868A |
申请公布日期 |
2006.01.11 |
申请号 |
CN200510007825.7 |
申请日期 |
2005.01.28 |
申请人 |
日本电镀工程股份有限公司 |
发明人 |
内海裕二 |
分类号 |
C25D5/08(2006.01);C25D7/12(2006.01);C25D17/00(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/445(2006.01) |
主分类号 |
C25D5/08(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
胡烨 |
主权项 |
1.电解镀膜装置,它是包括具有配置了与晶片周边部接触的阴极的开口部的镀槽以及配置在镀槽内部而使其与放置在该开口部的晶片对置的阳极,将镀膜液提供给镀槽内,使晶片和镀膜液接触,同时向晶片提供电镀电流,对晶片表面进行镀膜处理的电解镀膜装置,其特征在于,所述阳极是在钛制的电极基材上设置作为中间层的铂覆盖膜,和在该中间层表面上设置氧化铟覆盖膜而形成的。 |
地址 |
日本国东京都 |