| 发明名称 | 半导体器件检查装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件检查装置使用电流计(9)测定平行电子束(2)照射在样品(5)上而在样品(5)上产生的电流。改变电子束(3)的加速电压反复测定，在数据处理装置(10)中，加速电压的差异导致电子束对样品(5)的透射率不同，由此求出与样品(5)的深度方向的构造有关的信息。利用这种装置可进一步改善检测由电子束的照射产生的基板电流的技术，对接触孔的详细形状和半导体器件的内部状态进行无损检查。 | ||
| 申请公布号 | CN1236482C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN00133431.X | 申请日期 | 2000.11.06 |
| 申请人 | 法梭半导体公司 | 发明人 | 山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄;辻出彻 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件检查装置，包括：电子束照射机构，用于在扫描半导体器件的同时，使用电子束照射作为在测样品的半导体器件，所述电子束照射机构包括：发射电子束的电子枪；使电子束平行的准直机构，以及改变电子束的加速电压的机构，测定响应于使用电子束照射所述半导体器件所产生的电流的电流测定机构；以及数据处理机构，其对来自所述电流测定机构的测量数据进行处理，并基于(1)在以不同的加速电压扫描所述样品时电子束对该样品的穿透率的不同，以及(2)基于在标准样品中测得的电流的基准数据获得与样品的深度方向的构造有关的信息。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川 | ||