| 发明名称 | 多重栅极晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭露一种多重栅极晶体管，其包括一半导体鳍片形成于部分半导体块材基底上，一栅极介电质覆盖于部分半导体鳍片上，且一栅电极覆盖于该栅极介电质之上；一源极区与一漏极区相对形成于邻近栅电极的半导体鳍片上。于较佳实施例中，栅电极的底部表面较源极－基底接面或漏极－基底接面为低。 | ||
| 申请公布号 | CN2751447Y | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN200420066358.6 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;杨富量;胡正明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种多重栅极晶体管，其特征在于，包括：一半导体鳍片形成于部分的一半导体块材基底上；一栅极介电质覆盖于部分该半导体鳍片上；一栅电极覆盖于该栅极介电质之上，该栅电极具一底部表面；以及一源极区与一漏极区相对形成于邻近该栅电极旁的半导体鳍片上，该源极区具一源极-基底接面，且该漏极区具一漏极-基底接面；其中该栅电极的底部表面较该源极-基底接面或该漏极-基底接面为低。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||