一种碳纳米管磁随机存取存储器

摘要

本实用新型公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器，该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ)，MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄膜存储单元并流经该单元的电流所产生的磁场的共同作用来完成。本实用新型采用碳纳米管作为势垒层，确保了隧道结电阻的均匀性，同时克服了采用Al₂O₃作为势垒层形成的许多缺陷，如pinhole等。

主权项

1.一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器，包括：a)由晶体管ATR(4)单元构成的存储器控制单元阵列，该控制单元阵列集成在半导体衬底中；b)由磁性薄膜存储单元(2)构成的存储单元阵列；c)接触孔(3e、3f)与过渡金属层，所述磁性薄膜存储单元(2)经由接触孔(3f)与过渡金属层和所述晶体管ATR(4)单元相连接；d)字线WL(3d)和位线BL(3a)，所述位线BL(3a)布置在所述磁性薄膜存储单元(2)的上方、与之直接相连接并且与磁性薄膜存储单元的易磁化方向垂直；其特征在于，所述磁性薄膜存储单元(2)的势垒层为碳纳米管。