| 发明名称 | 多晶硅层的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅层的制作方法，包括下列步骤：(a)提供一衬底；(b)于衬底上形成一阻障层；(c)于阻障层上形成一具有低热传导系数的多孔材料层；(d)于多孔材料层上形成一非晶硅层；以及(e)进行一激光退火制作工艺。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可以形成具有较大晶体尺寸的多晶硅层。此外，上述阻障层与多孔材料层之间例如可选择性地形成一应力缓冲层。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可使得所成长出来的多晶硅层具有较大的晶体尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1236475C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN02146581.9 | 申请日期 | 2002.10.22 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 彭佳添 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅层的制作方法，其特征在于：包括：提供一衬底；于该衬底上形成一阻障层；于该阻障层上形成一多孔材料层，其中该多孔材料层的材质包括氧化硅与氧化铝的混和物，且该阻障层与该多孔材料层构成一缓冲层；于该多孔材料层上形成一非晶硅层；进行一激光退火制作工艺，以形成一多晶硅层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||