| 发明名称 | 硅基膜、其形成方法和光伏元件 | ||
| 摘要 | 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得：向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体，至少内部的一部分用含硅固体覆盖，在真空容器的内部空间中产生等离子体，以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1236477C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN02119067.4 | 申请日期 | 2002.02.01 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 近藤隆治;佐野政史;松田高一;东川诚 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/24(2006.01);H01L31/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种利用等离子体CVD形成硅基薄膜的方法，包括：向真空容器内部引入含有卤化硅和氢的源气体，至少内部的一部分用含硅固体覆盖；在真空容器内部的空间中产生等离子体；和在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||