发明名称 半导体显示装置及其制造方法
摘要 本发明目的在于提供一种显示品质更高的半导体显示装置及其制造方法。其中,形成与像素区域的各像点相对应且用以进行驱动的晶体管DTFT(图2(a))。另一方面,在像素区域的周边,形成有构成驱动电路的晶体管TFT(图2(b))。构成此晶体管DTFT的多晶硅10,以及构成晶体管TFT的多晶硅15,系藉由对于同一非晶硅进行激光照射的步骤而产生。但是,在晶体管DTFT的下方形成有散热性佳的遮光层配线SL。因此,构成此晶体管DTFT的多晶硅10的结晶粒的粒径,系设定成比构成晶体管TFT的多晶硅15的结晶粒的粒径更小。
申请公布号 CN1236476C 申请公布日期 2006.01.11
申请号 CN03101971.4 申请日期 2003.01.30
申请人 三洋电机株式会社 发明人 佐野景一;山田努
分类号 H01L21/20(2006.01);H01L29/786(2006.01);G09G3/32(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 程伟;王初
主权项 1.一种半导体显示装置,其具备有:与像素区域内的各显示元件相对应而形成在前述像素区域内的驱动元件;以及设于前述像素区域外并用以驱动前述驱动元件的驱动电路,其特征在于:构成前述驱动元件的多晶半导体的结晶粒的粒径,系设定成比构成前述驱动电路内的元件的多晶半导体的结晶粒的粒径更小。
地址 日本大阪府