发明名称 | 一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置,包括真空室,真空室设有抽真空口,真空室内设有磁控靶和工件架,磁控靶呈对靶设置,每对磁控靶由一个中频电源供电,工件架位于对靶之间。本发明由于采用上述结构,每对磁控靶由一个中频电源供电,使得对靶之间等离子体分布均匀、致密,从而提高镀膜效率、镀膜能力和离子镀效果,降低镀膜成本,提高涂层均匀性,同时,由一个电源控制一对靶,使得镀膜过程更易于控制。 | ||
申请公布号 | CN1718847A | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
申请号 | CN200510019161.6 | 申请日期 | 2005.07.26 |
申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 范湘军;彭友贵;杨兵;付德君 |
分类号 | C23C14/35(2006.01) | 主分类号 | C23C14/35(2006.01) |
代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
主权项 | 1.一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置,包括真空室,真空室设有抽真空口,真空室内设有磁控靶和工件架及支撑工件架的支座,其特征在于:磁控靶呈对靶设置,每对磁控靶由一个中频电源供电,工件架位于对靶之间。 | ||
地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 |