发明名称 一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置
摘要 本发明公开了一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置,包括真空室,真空室设有抽真空口,真空室内设有磁控靶和工件架,磁控靶呈对靶设置,每对磁控靶由一个中频电源供电,工件架位于对靶之间。本发明由于采用上述结构,每对磁控靶由一个中频电源供电,使得对靶之间等离子体分布均匀、致密,从而提高镀膜效率、镀膜能力和离子镀效果,降低镀膜成本,提高涂层均匀性,同时,由一个电源控制一对靶,使得镀膜过程更易于控制。
申请公布号 CN1718847A 申请公布日期 2006.01.11
申请号 CN200510019161.6 申请日期 2005.07.26
申请人 武汉大学 发明人 范湘军;彭友贵;杨兵;付德君
分类号 C23C14/35(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 武汉天力专利事务所 代理人 程祥;冯卫平
主权项 1.一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置,包括真空室,真空室设有抽真空口,真空室内设有磁控靶和工件架及支撑工件架的支座,其特征在于:磁控靶呈对靶设置,每对磁控靶由一个中频电源供电,工件架位于对靶之间。
地址 430072湖北省武汉市武昌珞珈山