发明名称 适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途
摘要 本发明公开了一种适用SAW器件的纳米金刚石薄膜及制备方法与用途,这种利用微波等离子化学气相沉积法制备的C-轴取向的金刚石纳米膜,膜厚6μm,晶粒度为:200-250nm,sp<SUP>3</SUP>成分≥90%,满足波长λ≤4μm高频声表面波传播条件。本发明纳米金刚石膜具有C-轴择优取向,平整光滑,具有一定厚度,结晶度好。该薄膜可满足纳米金刚石薄膜领域的应用需求,用射频离子溅射可制备出C-轴取向的压电薄膜,例如高频、大功率声表面波(SAW)器件等。经使用HP8712ET网络分析仪测量SAW滤波器中心频率,当IDT指宽为d=1.7μm时,SAW滤波器中心频率可达到1.75GHz。
申请公布号 CN1718852A 申请公布日期 2006.01.11
申请号 CN200510013901.5 申请日期 2005.06.24
申请人 天津理工大学 发明人 杨保和;熊瑛;陈希明;吴晓国;孙大智
分类号 C23C16/27(2006.01);C23C16/513(2006.01) 主分类号 C23C16/27(2006.01)
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人 廖晓荣
主权项 1 一种适用SAW器件的纳米金刚石膜,其特征在于所说的金刚石膜全部膜厚15-20μm,其上部定向生长C-轴取向的金刚石纳米膜,膜厚6μm,晶粒度为:200-250nm,sp3成分≥90%,满足波长λ≤4μm高频声表面波传播条件。
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