发明名称 |
适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途 |
摘要 |
本发明公开了一种适用SAW器件的纳米金刚石薄膜及制备方法与用途,这种利用微波等离子化学气相沉积法制备的C-轴取向的金刚石纳米膜,膜厚6μm,晶粒度为:200-250nm,sp<SUP>3</SUP>成分≥90%,满足波长λ≤4μm高频声表面波传播条件。本发明纳米金刚石膜具有C-轴择优取向,平整光滑,具有一定厚度,结晶度好。该薄膜可满足纳米金刚石薄膜领域的应用需求,用射频离子溅射可制备出C-轴取向的压电薄膜,例如高频、大功率声表面波(SAW)器件等。经使用HP8712ET网络分析仪测量SAW滤波器中心频率,当IDT指宽为d=1.7μm时,SAW滤波器中心频率可达到1.75GHz。 |
申请公布号 |
CN1718852A |
申请公布日期 |
2006.01.11 |
申请号 |
CN200510013901.5 |
申请日期 |
2005.06.24 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
杨保和;熊瑛;陈希明;吴晓国;孙大智 |
分类号 |
C23C16/27(2006.01);C23C16/513(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/27(2006.01) |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
廖晓荣 |
主权项 |
1 一种适用SAW器件的纳米金刚石膜,其特征在于所说的金刚石膜全部膜厚15-20μm,其上部定向生长C-轴取向的金刚石纳米膜,膜厚6μm,晶粒度为:200-250nm,sp3成分≥90%,满足波长λ≤4μm高频声表面波传播条件。 |
地址 |
300191天津市南开区红旗路263号 |