| 发明名称 | 具有扁平电极和与其直接接触的突起电极的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，具有第一半导体片状器件和第二半导体片状器件。其上形成具有平坦表面的扁平电极的第一半导体片状器件的电极形成表面和其上形成突起电极的第二半导体片状器件的电极形成表面相向设置。而且，扁平电极和突起电极互相电连接。形成扁平电极的导电材料的主要成分与形成突起电极的导电材料的主要成分相同。此外，突起电极的硬度高于扁平电极的硬度。因此，突起电极和扁平电极可以以高可靠性互相电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1236491C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN02108123.9 | 申请日期 | 2002.03.27 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 池上五郎;长井伸彰 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01);H01L25/04(2006.01) | 主分类号 | H01L25/065(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：至少具有扁平电极的第一半导体片状器件；至少具有与所述扁平电极直接连接的突起电极的第二半导体片状器件；其中所述突起电极的导电材料的主要成分与所述扁平电极的导电材料的主要成分相同，并且所述突起电极的硬度高于所述扁平电极的硬度，并且，其中所述扁平电极是金属电极，所述突起电极是合金电极，所述合金主要由所述金属构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||