| 发明名称 | 在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1236479C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN01143895.9 | 申请日期 | 2001.12.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 蒂莫西·J·多尔顿;斯蒂芬·E·格雷科;杰弗里·C·赫德里克;萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔;桑佩思·珀鲁肖瑟曼;肯尼思·P·罗德贝尔;罗伯特·罗森堡 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法，包括步骤：提供预先加工好的电子基板；在所述预先加工好的电子基板上沉积无孔介电材料层；在不高于250℃的第一温度下固化所述电子基板；定义并构图所述无孔介电材料层；以及在高于所述第一温度的第二温度下固化所述电子基板，将所述无孔介电材料转变成多孔介电材料。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||