发明名称 场效应晶体管带通放大器
摘要 本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器(5)设有如图示的5级放大器(11-15)和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)(16)以及AGC(自动增益控制)电路(8)。BPF(16)在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时,通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声,通过除去高频成分来降低热噪声。因而,从末级放大器(15)输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。
申请公布号 CN1236553C 申请公布日期 2006.01.11
申请号 CN02801150.3 申请日期 2002.02.21
申请人 新泻精密株式会社 发明人 宫城弘
分类号 H03F3/195(2006.01);H03F1/26(2006.01) 主分类号 H03F3/195(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;王忠忠
主权项 1.一种设有放大单元以及控制该放大单元的增益的增益控制电路的FET带通放大器,其中:所述放大单元包含,用FET作为放大元件的级联的多个放大器,以及插入在所述多个放大器的中段、设定在比放大频带更宽的通频带上的带通滤波器;采用CMOS工艺或MOS工艺,在半导体基片上一体形成所述放大单元和所述增益控制电路,并且用p沟道FET作为所述多个放大器的至少从初级至第n级的所述FET。
地址 日本新泻县