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经营范围
发明名称
GaN-based Semiconductor junction structure
摘要
申请公布号
KR100542720(B1)
申请公布日期
2006.01.11
申请号
KR20030035816
申请日期
2003.06.03
申请人
发明人
分类号
H01L33/00;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/205;H01L29/88;H01L33/06;H01L33/32
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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