发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060002131(A) 申请公布日期 2006.01.09
申请号 KR20040051052 申请日期 2004.07.01
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHANG, HEON YONG;HONG, SUK KYOUNG
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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