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发明名称 PHASE CHANGE RAM DEVICE USING PN DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060001084(A) 申请公布日期 2006.01.06
申请号 KR20040050111 申请日期 2004.06.30
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHANG, HEON YONG
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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