发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
摘要 <P>Sont successivement formés une couche de câblage inférieure (1), un premier film isolant (2a), un deuxième film isolant (2b) en matériau isolant poreux, un troisième film isolant (2c) et un masque de réserve ayant un motif d'ouverture prédéterminé. Une ouverture atteignant le premier film isolant (2a) est réalisée par gravure sèche et le masque de réserve est éliminé. Un film métallique de barrière (11) est formé de façon à enrober la paroi latérale de l'ouverture puis est éliminé par gravure sèche et l'on fait pénétrer l'ouverture jusqu'à la couche de câblage inférieure (1) par réalisation d'une gravure sèche. Un bouchon d'interconnexion (5) ou une couche de câblage supérieure connectée à la couche de câblage inférieure (1) sont formés par encastrement d'un matériau conducteur dans l'ouverture.</P>
申请公布号 FR2872628(A1) 申请公布日期 2006.01.06
申请号 FR20050000635 申请日期 2005.01.21
申请人 SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC 发明人 SONE SHUJI
分类号 H01L21/768;H01L21/60;H01L23/535;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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