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Ein Feldplattentrenchtransistor (20-60) weist einen Halbleiterkörper (3) auf, in dem mehrere Trenches (9), die durch Mesagebiete voneinander getrennt werden, ausgebildet sind. In den Trenches (9) sind Gateelektroden (11) zur Steuerung eines vertikalen Stromflusses durch den Halbleiterkörper (3) hindurch vorgesehen. Wenigstens ein Teil der Gateelektroden (11) liegt auf Sourcepotenzial.
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