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Es werden unterschiedliche Strukturarten, wie CPL-, HTPSM- oder CoG-Strukturen, aufweisende Masken (1) zur Verfügung gestellt, bei denen die unterschiedlichen Sturkturarten keinen Lagefehler zueinander aufweisen. Dies wird erreicht, indem die Positionen aller Strukturen (2) auf der Maske (1) mit einem einzigen Maskenlithographieschritt festgelegt werden. Eine dabei strukturierte Absorberschicht (51) erfüllt zwei Funktionen. In einem ersten Bereich (81) werden mit der strukturierten Absorberschicht (51) die opaken und transparenten Abschnitte (21, 23) der CoG-Strukturen gebildet und in einem zweiten Bereich (82), in dem die CPL-Strukturen erzeugt werden, dient die strukturierte Absorberschicht (51) als Hartmaske (9) für das Ätzen der beispielsweise als Gräben (24) im Maskensubstrat (7) ausgebildeten CPL-Strukturen.
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