Schutzanordnung für eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einer Thyristorstruktur und Verfahren zu ihrem Betrieb

摘要

Vorgeschlagen wird eine Schutzanordnung für eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einer Thyristorstruktur (SCR), die in einer ersten Wanne (10) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer darin eingebetteten zweiten Wanne (20) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist, wobei die erste Wanne einen hochdotierten, mit einem ersten Potential (VB) verbundenen Bereich (11; 31) des zweiten Leitfähigkeitstyps und einen ersten Steuerbereich (13; 33) des ersten Leitfähigkeitstyps enthält, und die zweite Wanne einen hochdotierten, mit einem zweiten Potential (VV) verbundenen Bereich (22; 42) des ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Steuerbereich (23; 43) des zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, wobei der erste und zweite Steuerbereich mit je einem ersten und einem zweiten Steuerpotential (CTL, CTH) verbunden sind.