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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung von Trench-Speicherzellenstrukturen mit Trenchkondensatoren (3) und planaren Auswahltransistoren (2). Eine Implantation zur Formierung eines Verstärkungsimplants (24) zur Verbesserung des elektrischen Anschlusses einer Speicherelektrode eines Trenchkondensators (3) an ein erstes Source/Drain-Gebiet des jeweiligen Auswahltransistors (2) erfolgt selbstjustiert zu über einer Substratoberfläche (10) des Halbleitersubstrats (1) vorgesehenen Gatestapeln (4). Zur Ausbildung des Verstärkungsimplants (24) wird der Abscheidungsprozess für eine erste Isolatorschicht (6), aus der dielektrische Spacer-Strukturen (6') der Gatestapel (4) hervorgehen, in mindestens zwei Teilschritte aufgeteilt, wobei vor der Implantation (52) eine Basislage (61) der ersten Isolatorschicht (6) aufgebracht wird, deren Schichtdicke den Abstand des Verstärkungsimplants (24) zu den Gatestapeln (4) festlegt. Eine nach der Implantation (52) vorgesehene Decklage (62) der ersten Isolatorschicht (6) verbessert die dielektrischen Eigenschaften der Spacer-Strukturen (6'), die die Gatestapel (4) von zwischen den Gatestapeln (4) vorzusehenden Bitkontakt-Strukturen (8) isolieren.
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