| 发明名称 |
Verfahren zur Bildung eines Übergangs in Fremdionengebieten einer EEPROM-Flashzelle mittels Schrägwinkel-Fremdionen-Implantation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19621753(B4) |
申请公布日期 |
2006.01.05 |
| 申请号 |
DE19961021753 |
申请日期 |
1996.05.30 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
LEE, HEE YOUL |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/8247;H01L21/8252;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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