| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen metallischen Schicht an einer vorgegebenen vertikalen Position in einem Halbleiterkörper, der eine erste und zweite Seite aufweist, das folgende Verfahrensschritte umfasst: DOLLAR A - wenigstens abschnittsweises Aufbringen einer Metallschicht auf eine der ersten und zweiten Seiten, DOLLAR A - Einstellen eines positiven Temperaturgradienten in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers, ausgehend von der einen Seite, wobei die Temperatur im Bereich der einen Seite höher als eine eutektische Temperatur ist, so dass das Metall der Metallschicht in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper migriert, DOLLAR A - Abstellen des Temperaturgradienten, wenn das Metall die vorgegebene vertikale Position in dem Halbleiterkörper erreicht, um dadurch die metallische Schicht an der vorgegebenen Position zu erhalten.
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