发明名称 |
发光器件及制造发光器件的方法 |
摘要 |
本发明的一个目的是提供一种用于制造具有高的内量子效率、低功耗、具有高的亮度和具有高可靠性的发光器件的方法。本发明提供一种发光器件的制造方法,包括如下步骤:形成包括导电的光传输氧化物材料和氧化硅的导电的光传输氧化层,在导电的光传输氧化层之上形成其中硅的密度比导电的光传输氧化层中的高的势垒层,形成具有导电的光传输氧化层和势垒层的阳极,在真空气氛下加热阳极,在加热的阳极之上形成电致发光层,以及在电致发光层之上形成阴极,其中在电致发光层和导电的光传输氧化层之间形成势垒层。 |
申请公布号 |
CN1716650A |
申请公布日期 |
2006.01.04 |
申请号 |
CN200410094236.2 |
申请日期 |
2004.10.20 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山嵜舜平;秋元健吾;坂田淳一郎;平形吉晴;曾根宽人 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);G09F9/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
1.一种发光器件的制造方法,包括如下步骤:形成包括导电的光传输氧化物材料和氧化硅的导电的光传输氧化层;在导电的光传输氧化层之上形成势垒层,其中硅的密度比导电的光传输氧化层中的高;形成具有导电的光传输氧化层和势垒层的阳极;在真空气氛下加热阳极;在加热的阳极之上形成电致发光层;以及在电致发光层之上形成阴极;其中在电致发光层和导电的光传输氧化层之间形成势垒层。 |
地址 |
日本神奈川县 |