| 发明名称 | SOI衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | SOI衬底(1)具有支撑衬底(10)、形成在支撑衬底(10)上的绝缘层(20)以及形成在绝缘层(20)上的硅层(30)。在SOI衬底(1)的器件形成区(A1)中设置穿通电极(40)。穿通电极(40)从硅层(30)到达绝缘层(20)。具体地，穿通电极(40)从硅层(30)的表面开始贯穿硅层(30)延伸至绝缘层(20)的内部。这里，在绝缘层(20)侧的穿通电极(40)的端面(40a)停止在绝缘层(20)内。 | ||
| 申请公布号 | CN1716619A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510082338.7 | 申请日期 | 2005.06.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 川野连也;田代勉;栗田洋一郎 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种SOI衬底，具有绝缘层和设置在所述绝缘层上的硅层，包括：从所述硅层到达所述绝缘层的穿通电极，其中在所述绝缘层侧的所述穿通电极的端面停止在所述绝缘层内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||