利用原子层沉积法形成薄膜的方法

摘要

一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。

主权项

1、一种利用原子层沉积方法形成薄膜的方法，该方法包括以下步骤：向含有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和一配体，从而使第一反应物被化学吸附到基底内；通过用惰性气体吹扫反应室，除去只被物理吸附到基底内的任何第一反应物；通过向反应室注入第二反应物，使形成薄膜的原子与第二反应物之间发生化学反应，从而形成以原子层为单位的薄膜，并不产生副产品地除去配体，其中第二反应物与形成薄膜的原子之间的结合能大于配体与形成薄膜的原子之间的结合能，所述配体被除去而没有产生副产品。