用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法

摘要

揭示了将非晶硅(542)薄膜样本(170)加工成多晶硅(540)薄膜的方法。在一种较佳装置例中，一种方法包括步骤：产生一个序列的受激准分子激光脉冲(164)；将该序列中每个受激准分子激光(110)脉冲调节成一预定流量；按一预定平面均化该序列中每个已调节的激光脉冲；用二维狭缝图案(220)遮蔽该序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分，以产生流量受控的直线定形细光束脉冲序列，在狭缝图案中的每条狭缝应足够窄，以避免在由细光束照射的硅薄膜样本上相应于该狭缝的区域内引起成核现象；用流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜，由此将相应于定形细光束脉冲序列中的每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅熔化。

主权项

1.一种将非晶硅薄膜样本加工成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)产生受激准分子激光脉冲序列；(b)将所述序列中的每个受激准分子激光脉冲可控地调节到一预定流量；(c)按预定平面均化所述序列中每个已调节的激光脉冲；(d)用二维狭缝图案遮蔽所述序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分，以产生流量受控的狭缝定形细光束脉冲序列，所述狭缝图案中的每条狭缝必须足够窄，以防止在被细光束照射的相应于所述狭缝的硅薄膜样本区域中引起明显的成核现象；(e)用所述流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜样本，以实现其中相应于所述定形细光束脉冲序列中每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅薄膜的熔化；以及(f)可控地顺序移动所述样本与每个所述流量受控的狭缝定形细光束脉冲的相对位置，由此将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜；其中在步骤(e)和(f)中至少一个步骤执行期间，实时执行所述步骤(b)。