发明名称 | 半导体装置和半导体装置的驱动方法 | ||
摘要 | 提供一种备有能重写的非易失性存储器的半导体装置,当读出禁止解除控制部分109的动作顺序检测寄存器处于重置状态的情况下,通过外部输入输出控制部分107的输出禁止控制电路,禁止从外部读出非易失性存储块105中的数据,在电源接通时对机密进行确实保护。仅当基于控制信号811在检测针对存储单元阵列121的动作顺序的重写动作检测部分108,检测到是按照规定的动作顺序进行的情况下,才解除读出的禁止。特别是通过使动作顺序包括确认擦去状态的动作和确认写入状态的动作,还能防止借助于门电压操作进行不正当读出,实现机密的确实保护。由此,不进行外部设定就能实现确实保护机密的目的。 | ||
申请公布号 | CN1235152C | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
申请号 | CN03106883.9 | 申请日期 | 2003.03.06 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田中良幸 |
分类号 | G06F12/14(2006.01) | 主分类号 | G06F12/14(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1、一种半导体装置的驱动方法,是具备:由电可重写的多个非易失性存储单元组成的存储单元阵列,和对向外部输出保存在所述的存储单元阵列中的数据进行控制的输出控制装置的半导体装置的驱动方法,其特征在于,包括:当所述存储单元阵列接通电源时,所述输出控制装置禁止存储于所述存储单元阵列中的数据向外部输出的工序;以及,当在所述的存储单元阵列中进行给定的动作顺序的情况下,所述输出控制装置允许存储于所述存储单元阵列中的数据向外部输出的工序,所述的给定的动作顺序包括:确认所述的非易失性存储单元处于擦去状态的第一顺序,以及所述的第一顺序后确认给定的数据写入非易失性存储单元的第二顺序。 | ||
地址 | 日本大阪府 |