| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造CMOS薄膜晶体管(TFT)的方法和使用该方法制造的CMOS TFT。该方法包括：提供具有第一区和第二区的衬底；分别在所述第一和第二区上形成第一半导体层和第二半导体层；形成栅极绝缘层，具有位于所述第一半导体层的端部分上的第一部分和位于所述第二半导体层上的端部分上的第二部分；在所述栅极绝缘层上形成离子掺杂掩模图案；利用所述离子掺杂掩模图案作为掩模在所述第一半导体层的端部中掺杂第一杂质，且利用所述离子掺杂掩模作为掩模在所述第二半导体层的端部中掺杂第二杂质，所述第二杂质的导电类型不同于所述第一杂质。因此，可以减少掩模的数量且简化制造CMOS TFT所需的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1716571A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510082118.4 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 黄义勋 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造CMOS薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：提供具有第一区和第二区的衬底；分别在所述第一和第二区上形成第一半导体层和第二半导体层；形成栅极绝缘层，具有位于所述第一半导体层的端部分上的第一部分和位于所述第二半导体层上的端部分上的第二部分，其中，所述第二部分厚于所述第一部分；在所述栅极绝缘层上形成离子掺杂掩模图案；和利用所述离子掺杂掩模图案作为掩模在所述第一半导体层的端部中掺杂第一杂质，且利用所述离子掺杂掩模作为掩模在所述第二半导体层的端部中掺杂第二杂质，所述第二杂质的导电类型不同于所述第一杂质。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||