| 发明名称 | 半导体器件中形成器件隔离膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体器件中形成器件隔离膜的方法，该方法包括：在具有一单元区域与一周边电路区域的一半导体衬底上依次形成一垫氧化物层与一垫氮化物层；蚀刻该垫氮化物层、该垫氧化物层以及该半导体衬底的一预定区域以形成一沟槽；在该沟槽的一表面上形成一侧壁氧化膜；蚀刻该单元区域中的该侧壁氧化膜的一预定厚度；在包括该沟槽与该垫氮化物层的半导体衬底上形成一衬垫氮化物膜与一衬垫氧化物膜；淀积一HDP氧化膜以填满该沟槽；进行一平面化工序以暴露该垫氮化物层；以及移除该垫氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1716565A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200410081783.7 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔亨锡;魏宝灵 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件中形成器件隔离膜的方法，该方法包括以下步骤：(a)在具有一单元区域与一周边电路区域的一半导体衬底上依次形成一垫氧化物层与一垫氮化物层；(b)蚀刻所述垫氮化物层、垫氧化物层以及半导体衬底的一预定区域以形成一沟槽；(c)在所述沟槽的一表面上形成一侧壁氧化膜；(d)蚀刻所述单元区域中的该侧壁氧化膜的一预定厚度；(e)在包括所述沟槽与垫氮化物层的该半导体衬底上形成一衬垫氮化物膜与一衬垫氧化物膜；(f)淀积一HDP氧化膜以填满所述沟槽；(g)进行一平面化工序以暴露所述垫氮化物层；以及(h)移除所述垫氮化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||