掩模图案校正装置和掩模图案校正方法、掩模制备方法和半导体器件生产方法

摘要

用光学邻近效应校正装置对设计图案的光学邻近效应进行校正(ST2)，在校正光学邻近效应之后，用模拟装置模拟图案，产生栅极电极的转移图案(ST3)，按照有关对于电路要求的特性改变栅极电极转移图案中的测量位置(ST4，ST5)。然后，按照对电路要求的是更高的速度、稳定性还是减少漏电流，判断上述栅极电极转移图案的测量点处偏离设计值的偏差是否落在允许范围内(ST7)。当偏差没有落在允许范围内时，移动测量点的校正图案(ST8)。通过重复反馈直至测量点落在允许范围内为止(ST3至ST8)，在起栅极作用的范围内，按照对电路要求的特性进行最佳校正。

主权项

1.一种掩模图案校正装置，它包括：光学邻近效应校正装置(3)，用来校正设计图案(102)的光学邻近效应；模拟装置(4)，用以通过模拟求出当利用经所述光学邻近效应校正而获得的校正图案(103)在预定的转移条件下进行曝光时要获得的转移图案；转移图案测量装置(5)，用以测量在所述求出的转移图案(104)中功能上与器件电路特性相关的部分的尺寸和位置；测量值分布产生装置(6)，用于接收从转移图案测量装置(5)输入的整个芯片的测量值，并且产生这些测量值对多个设计值的偏差量的分布；和图案变形装置(8)，用以在所述尺寸或位置的测量值与设计值的偏差超出允许范围时，将所述校正图案(103)中被测量部分移动刚好一个偏差量，使所述转移图案(104)的被测量部分(104a)的偏差分布落在所述允许的范围内。