| 发明名称 | 用于在磁致电阻存储器件的写操作期间改善磁场产生的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁性或者磁致电阻随机存取存储器(MRAM)，更具体地说，涉及一种在这种磁致电阻存储器件的写操作过程中调制所产生的磁场的方法和器件。本发明提供了具有以行和列逻辑组织的磁致电阻存储单元(31)的矩阵(30)，每个存储单元(31)包含磁致电阻元件(32)。矩阵(30)包括行线(33)的组，行线为连续的导电带，能够磁性耦连到行的每个存储单元(31)的磁致电阻元件(32)。矩阵(30)还包括列线(34)的组，列线(34)为连续的导电带，可以磁性耦连至列的每个存储单元(31)的磁致电阻元件(32)，其中对于每条列线(34)，设置至少一条返回列线，用于形成该列线(34)中的电流的返回路径，并且用于添加影响所选择的磁致电阻元件(32)并且由该列线(34)中的电流产生的磁场，以增加向所选择的磁致电阻元件(32)写入的磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN1717743A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200380104331.X | 申请日期 | 2003.11.06 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | H·M·B·博伊维 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有以行和列逻辑组织的磁致电阻存储单元的矩阵，每个存储单元包括磁致电阻元件，该矩阵包括列线组，列线是连续的导电带，其可以磁性耦连至一列的每个存储单元的磁致电阻元件，其中对于每条列线，至少设置一条返回列线，用于形成该列线中的电流的返回路径，并且用于添加影响所选择的磁致电阻元件并且由列线中流动的电流产生的磁场，以便增加用于向所选择的磁致电阻元件写入的磁场。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||