半导体器件及其制造方法

摘要

半导体衬底上边绝缘膜的布线区域上形成第1沟，电容区域上形成宽度比第1沟宽的第2沟。而且，淀积第1导体膜使其完全填埋第1沟，填埋第2沟到中途。进而，淀积电容绝缘膜使其填埋到第2沟的中途，其上淀积第2导体膜完全填埋第2沟。研磨第2导体膜、电容绝缘膜和第1导体膜的叠层膜直到绝缘膜露出，给第1沟内埋入由第1导体膜形成的布线和给第2沟内埋入由第1导体膜、电容绝缘膜和第2导体膜构成的电容。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；在该半导体衬底上边形成的绝缘膜；和在将该绝缘膜上形成的接触部作为宽度宽的布线沟中，平坦地埋入的布线；上述布线，至少在上述接触部中，由第1导体膜和覆盖其上面的一部分的第2导体膜的叠层结构构成，在上述接触部以外，仅由上述第1导体膜构成，并且，上述接触部的中央部的上述第2导体膜的上面与上述接触部以外的上述第1导体膜的上面高度相同。