ZnO－GaN复合衬底GaN发光器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，本发明涉及一种ZnO－GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法。其特征是器件由衬底、GaN缓冲层，n－GaN下限制层，InGaN多量子阱有源层，p－GaN上限制层，p－GaN盖层等部件构成，衬底由ZnO单晶基底和GaN上包覆层、抗腐蚀的下包覆层构成的复合衬底，在衬底和GaN缓冲层之间还生长一层ZnO剥离层和一层GaN抗分解层。本发明的效果和益处是可提高GaN系器件薄膜材料的质量，改善发光器件的特性，同时易于将器件薄膜材料与衬底分离，复合衬底可以重复使用，器件成本大大降低。

主权项

1.一种ZnO-GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法，所述一种ZnO-GaN复合衬底的GaN发光器件，是由衬底(101)、GaN缓冲层(2)，n-GaN下限制层(3)，InGaN多量子阱有源层(4)，p-GaN上限制层(5)，p-GaN盖层(6)部件构成，其特征是衬底(101)由ZnO单晶基底(01)和GaN上包覆层(02)、抗腐蚀的下包覆层(03)构成ZnO-GaN复合衬底，在衬底(101)和GaN缓冲层(2)之间生长一层ZnO剥离层(04)和一层GaN抗分解层(05)；GaN上包覆层(02)、抗腐蚀的下包覆层(03)、ZnO剥离层(04)和GaN抗分解层(05)均是室温～900℃的温度下生长的。