非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法

摘要

本发明是关于一种非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法，特别是一种浮置闸层下方的电介质层远离隔离沟渠的边角及/或与浮置闸层的边角的挥发性记忆体的制作方法，在半导体基底上形成设有第一电介质和第一浮置闸层。蚀刻第一电介质、第一浮置闸层和基底，以形成隔离沟渠。蚀刻第一电介质，使第一电介质远离沟渠边角和/或第一浮置闸层的边角。然后氧化沟渠边角和/或第一浮置闸层的边角。在沟渠中填充第二电介质之后，此第二电介质紧邻着沟渠边角和第一浮置闸层的边角的部分被横向蚀刻。形成第二浮置闸层，其延伸至第二电介质蚀刻前所占的区域。

主权项

1、一种非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法，每个记忆单元包括至少一个导电浮置闸，其特征在于其包括以下步骤：第一步，在一半导体基底上形成一第一电介质；第二步，在该第一电介质上形成一第一层，该第一层提供每个该浮置闸的一第一部分；第三步，移除部分该第一层、该第一电介质和该半导体基底，以在该半导体基底中形成一个或多个沟渠，该一个或多个沟渠用于在该集成电路的主动区域间产生隔离，该一个或多个沟渠包括一个或多个第一边角，每一该第一边角都是该非挥发性记忆单元的主动区域的一个边角，其中当第上述操作完成时，该第一电介质与该一个或多个第一边角间隔开；第四步，在与该浮置闸的该第一部分相邻的该一个或多个沟渠中或该沟渠上方形成一第二电介质，其中形成该第二电介质的方法包括热氧化该半导体基底；第五步，移除与该沟渠的该第一边角和该浮置闸的该第一部分侧壁相邻的一第一区域中该第二电介质的一第一部分；以及第六步，在上述第一层上形成一第二层，以提供该浮置闸的一第二部分，其中该浮置闸的该第二部分延伸至该第一区域内。