| 发明名称 | 具有加热器的薄膜磁头、磁头万向组件、及磁盘驱动装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明的薄膜磁头包括：衬底；至少一个磁头部件，形成在该衬底上；多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在该衬底上，以覆盖该至少一个磁头部件；以及至少一个加热部件，至少在该至少一个磁头部件的操作期间，被加热，该至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且在该多层覆盖涂层中，距离衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数小于该多层覆盖涂层中，最靠近该衬底的覆盖涂层的热膨胀系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1716383A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510076036.9 | 申请日期 | 2005.06.03 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 梅原刚;太田宪和;田上胜通;松隈裕树;大山信也;小出宗司;沟口义之;山田和秀 |
| 分类号 | G11B5/31(2006.01);G11B5/60(2006.01);G11B21/21(2006.01) | 主分类号 | G11B5/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种薄膜磁头，包括：衬底；至少一个磁头部件，形成在所述衬底上；多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在所述衬底上，以覆盖所述至少一个磁头部件；以及至少一个加热部件，至少在所述至少一个磁头部件的操作期间被加热，所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且所述多层覆盖涂层中，距离所述衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数小于所述多层覆盖涂层中最靠近所述衬底的覆盖涂层的热膨胀系数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||