| 发明名称 | 基板处理容器的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1717791A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200380104440.1 | 申请日期 | 2003.11.14 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山﨑英亮;中村和仁;松泽兴明;松田司;河野有美子 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/44(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板处理容器的清洗方法，该方法用来清洗处理被处理基板用的基板处理装置的基板处理容器，该方法包括：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励所述气体生成反应种的反应种生成工序；和从所述远程等离子体发生部向所述处理容器中供给所述反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||