| 发明名称 | 埋入式电容器介层窗的结构 | ||
| 摘要 | 提供一种制造埋入式电容器介层窗的结构，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此介层窗暴露出埋入式电容器的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN2750477Y | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200420118030.4 | 申请日期 | 2004.10.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 涂国基 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种介层窗结构，包括至少一介层窗，适用于埋入式电容器之上，该埋入式电容器位于一基底之上且具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，该电容介电层、该上电极及该抗反射层组成该埋入式电容器的侧壁，其特征在于：该介层窗暴露出该侧壁。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||