半导体器件以及半导体器件的制造方法

摘要

为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件，在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后，用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时，可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外，在应用于其他的电子电路的制造时，也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。

主权项

1.一种在其基板上具有包括结晶性质的成分和非结晶性质的成分的半导体膜的半导体器件，特征在于：所述半导体膜在红外吸收分光法测定中从2098cm-1至2106cm-1之间具有第一吸收峰，在从2080cm-1 至2088cm-1之间具有第二吸收峰，所述第一和第二吸收峰的吸收度比在从1980cm-1至2020cm-1之间的吸收度大。