| 发明名称 | 等离子体处理方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1717790A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200380104294.2 | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：将被处理基板暴露于规定的处理气体等离子体中的工序；和由所述等离子体对所述基板进行规定的等离子体处理的工序，对于所述基板独立地控制所述等离子体的密度空间分布与所述等离子体中的自由基的密度空间分布，在所述基板的整个被处理面上得到规定的处理状态。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||