含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供适合于半导体器件用的层间绝缘膜材料的利用化学气相沉积法形成的绝缘膜用材料，由这些材料形成的绝缘膜和使用了该绝缘膜的半导体器件。一种绝缘膜用材料，包含仲烃基和链烯基与硅原子直接连接，或链烯基与硅原子直接连接的有机硅烷化合物，仲烃基和/或链烯基与硅原子直接连接的有机硅氧烷化合物的任一个组成的通式(1)～(4)所示的有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的。

主权项

1.一种绝缘膜用材料，其特征在于，含有下述通式(1)～通式(4)的任一个有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的，下述通式(1)表示的具有仲烃基和链烯基与硅原子直接连接结构的有机硅烷化合物，(式中，R¹，R²表示碳数为1～20的烃基，R³表示至少含有一个链烯基、或含有链烯基和芳基的碳数为1～20的烃基，R⁴表示碳数为1～10的烃基或氢原子，m表示1～2的整数，n表示1～2的整数，m+n表示2～3的整数)，下述通式(2)表示的具有仲烃基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，(式中，R¹，R²同上述，R⁵表示碳数为1～20的烃基或氢原子，x表示大于等于2的整数)，下述通式(3)表示的具有乙烯基与硅原子直接连接结构的有机硅烷化合物，(式中，R⁶表示碳数为1～10的烃基或氢原子，p表示2或3)，下述通式(4)表示的具有乙烯基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，(式中，R⁷表示碳数为1～20的烷基、链烯基、芳基的任何一个，x同上述)。