发明名称 | 放射线探测器 | ||
摘要 | 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外,在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上,形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。 | ||
申请公布号 | CN1235059C | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
申请号 | CN02105818.0 | 申请日期 | 2002.04.11 |
申请人 | 株式会社岛津制作所 | 发明人 | 佐藤贤治;吉牟田利典;德田敏 |
分类号 | G01T1/24(2006.01) | 主分类号 | G01T1/24(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
主权项 | 1.一种放射线探测器,包括:含有在上面形成的电荷存储电容器和电荷读取开关元件的绝缘基底;在所述绝缘基底上形成的和与所述电荷存储电容器电连接的载流子收集极;在所述载流子收集极上形成的和适合于响应放射线的入射生成电荷传送介质的放射线灵敏型非晶半导体厚膜;在所述非晶半导体厚膜上形成的电压施加电极;以覆盖所述非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式,在所述非晶半导体厚膜与所述电压施加电极之间形成的抗溶解和载流子可选高阻薄膜;和具有与所述绝缘基底的热胀系数相当的热胀系数的、在所述电压施加电极上形成和以防止由于温度变化而导致的所述非晶半导体厚膜变形这样一种方式,通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的绝缘辅助板件,其中,根据所述非晶半导体厚膜中放射线入射生成的电荷传送介质的数量,把电荷存储在所述电荷存储电容器中,并且,通过所述开关元件读取存储在所述电荷存储电容器中的电荷,作为放射线探测信号。 | ||
地址 | 日本京都市 |