| 发明名称 | 在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法。该方法首先提供基底，其包含设于绝缘层上的半导体鳍片，及该半导体鳍片上形成的栅极介电质。并于该栅极介电质及该半导体鳍片上形成栅极材质，其形成的上表面不平坦。再将掺杂物注入该栅极材质中，并执行退火制程以活化该栅极材质的掺杂物。继之，执行平坦化制程使得该上表面平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN1716542A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510064432.X | 申请日期 | 2005.04.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;陈豪育;杨富量;胡正明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法，其特征在于所述在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法包括：提供基底，其包含设于绝缘层上的半导体鳍片，及该半导体鳍片上形成的栅极介电质；于该栅极介电质及该半导体鳍片上形成栅极材质，其形成的上表面不平坦；将掺杂物注入该栅极材质中；掺杂物注入之后，执行退火制程以活化该栅极材质的掺杂物；以及执行平坦化制程使得该上表面平坦化。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||