发明名称 一种Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物纳米线及其制备方法
摘要 本发明公开的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物纳米线的组分和含量为:由Sb或/和Bi元素和Se或/和Te元素按原子比为1.9~2.1∶2.9~3.1的比例形成的p型或n型Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基化合物,占材料总原子百分比的95~100%;掺杂元素原子Sn、Pb、I、Br、Al或Li中的一种或几种,占材料总原子百分比的0~5%。其制备采用水热或溶剂热方法,具有工艺设备简便、成本低廉、合成温度低、周期短、产物纯度高、可控性好等优点。
申请公布号 CN1234599C 申请公布日期 2006.01.04
申请号 CN200310122821.4 申请日期 2003.12.21
申请人 浙江大学 发明人 赵新兵;吉晓华;张艳华
分类号 C01B19/04(2006.01) 主分类号 C01B19/04(2006.01)
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.一种Bi2Te3基化合物纳米线,其特征是它的组分和含量如下:由Bi元素和Te元素按原子比为1.9~2.1∶2.9~3.1或者由Bi元素以及Se和Te元素按原子比为2∶0.5∶2.5的比例形成的p型或n型Bi2Te3基化合物,占材料总原子百分比的95~100%;掺杂元素原子Sn,占材料总原子百分比的0~5%;纳米线的长度为1μm~50μm,直径为20~100nm。
地址 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号