用于形成集成堆栈电容器的方法和结构

摘要

本发明公开了一种集成电路器件结构(及方法)。该结构包括包含表面的衬底。第一掺杂多晶硅内衬被定义在形成在耦合到衬底表面上的第一插塞上的第一沟槽区域中，第二掺杂多晶硅内衬被定义在形成在耦合到衬底表面上的第二插塞上的第二沟槽区域中。第一与第二沟槽区域被预定尺寸隔离。该结构还具有第一和第二粗糙多晶硅材料，第一粗糙多晶硅材料位于第一沟槽区域之中的第一掺杂多晶硅材料的表面上，第二粗糙多晶硅材料位于第二沟槽区域之中的第二掺杂多晶硅材料的表面上。第一和第二粗糙多晶硅材料不存在电接触的可能性。有机材料被完全放置在第一和第二掺杂多晶硅内衬之中，以保护位于第一和第二掺杂多晶硅内衬的相应表面之上的第一和第二粗糙多晶硅材料。

主权项

1.一种用于制造集成电路器件存储器结构的方法，所述方法包括：形成位于半导体衬底之上的晶体管结构，所述晶体管结构包括着片插塞，所述着片插塞被耦合到所述半导体衬底的一部分上；形成位于所述晶体管结构之上的高密度等离子体氧化物层；形成位于所述高密度等离子体氧化物层之上的氮化物层；形成位于所述氮化物层之上的掺杂玻璃层，所述掺杂玻璃层具有预定的厚度，所述预定的厚度基本是电容器结构的高度；在所述掺杂玻璃层中图案化出直到所述氮化物层的沟槽开口；在所述沟槽开口中，包括在所述沟槽开口的侧面和所述掺杂玻璃层的表面之上形成多晶硅层，所述多晶硅层具有一定的厚度以覆盖所述沟槽开口的侧面；去除所述多晶硅层中的位于所述沟槽开口的底部之上的部分；去除氮化物层的一部分和所述高密度氧化物层的一部分，以形成位于所述着片插塞之上的开口，同时多晶硅中在所述开口的所述侧面中的部分定义穿过所述氮化物层和所述高密度氧化物层的开口的宽度；利用多晶硅材料填充所述沟槽开口，并填充到高于所述掺杂玻璃层的表面的水平面；平面化所述多晶硅材料直至所述掺杂玻璃层的水平面暴露为止，同时保留所述沟槽开口中的所述多晶硅材料；以及选择性地去除所述开口中的所述多晶硅材料，直到所述氮化物层的上方附近。