| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管以及制备该薄膜晶体管的方法，在该薄膜晶体管中半导体层和栅极绝缘膜通过在多晶硅层图案和第一绝缘膜图案上沉积第二绝缘膜而形成，它们是通过对由连续形成的第一绝缘层所覆盖的非晶硅层首先结晶然后构图形成，或是通过对由连续形成并作为栅极绝缘层一部分的第一绝缘层所覆盖的预先形成的非晶硅层首先构图然后结晶形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1716636A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510081330.9 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 黄义勋;李根洙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘衬底；多晶硅层图案，由第一绝缘膜图案连续覆盖且形成于所述绝缘衬底上；第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜图案上；栅极电极，形成于所述第二绝缘膜上；以及层间绝缘层，形成于所述第二绝缘膜和所述栅极电极上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||