发明名称 静电电容式传感器
摘要 在FPC的第1面上形成电容元件用电极,同时,在第2面上形成位移电极。并且,通过在连结部中弯曲FPC,使得在第1面上第2面相对,在电容元件用电极和位移电极之间构成电容元件。
申请公布号 CN1235022C 申请公布日期 2006.01.04
申请号 CN03146496.3 申请日期 2003.07.11
申请人 新田株式会社 发明人 森本英夫
分类号 G01L1/14(2006.01) 主分类号 G01L1/14(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;叶恺东
主权项 1.一种静电电容式传感器,其特征在于,包括:检测部件(30);电容元件用电极(E1-E4),与所述检测部件(30)相对;位移电极(E0),在所述检测部件(30)和所述电容元件用电极(E1-E4)之间,与所述电容元件用电极(E1-E4)之间构成电容元件,且随着所述检测部件(30)发生位移,可沿与其相同的方向位移;一个挠性印刷电路板(11),设有所述电容元件用电极(E1-E4)和所述位移电极(E0),可弯曲地使所述两者可相对;利用输入到所述电容元件用电极(E1-E4)的信号,根据检测出因所述电容元件用电极(E1-E4)和所述位移电极(E0)的间隔的变化而引起的所述电容元件的静电容量值的变化,可识别所述检测部件(30)的位移。
地址 日本大阪府大阪市