发明名称 形成二氧化矽系被膜用组成物、二氧化矽系被膜及其制造方法、以及电子零件
摘要 本发明之二氧化矽系被膜形成用组成物为,含有(a)成分之烷氧基矽烷等矽氧烷树脂,及(b)成分之能溶解该矽氧烷树脂的醇与溶剂,及(c)成分之铵盐等,及(d)成分之热分解挥发性化合物,又具有150℃/3分之加热处理下所得膜应力为10MPa,且最终硬化所得之二氧化矽系被膜的电容率低于30之硬化特性。因此,本发明之二氧化矽系被膜形成用组成物可形成具有低介电性、接着性及充分机械强度之二氧化矽系被膜。
申请公布号 TW200600557 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094127342 申请日期 2003.02.27
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 樱井治彰;阿部浩一;榎本和宏;野部茂
分类号 C09D5/25 主分类号 C09D5/25
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本